NXP BLF3G21-30

Mã: BLF3G21-30 Danh mục:

Hàng mới 100%, Nhập khẩu từ USA

Estimated Delivery 2 to 3 days

Liên hệ

Gọi ngay: 0259.2222 292

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ/Nom

Max

Unit

frange frequency range 1 800 MHz
PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression 150 W

Test signal: CW

PL output power VDS= 32 V;

f = 800 MHz

150 W
Gp power gain f = 800 MHz;

VDS = 32 V;

PL = 150 W

12.5 dB
ηD drain efficiency VDS = 32 V;

f = 800 MHz;

IDq = 1000 mA;

PL = 150 W

60 %

30 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from HF to 2200 MHz.

Features and benefits

  • Excellent back-off linearity
  • Easy power control
  • Excellent ruggedness
  • High power gain
  • Excellent thermal stability
  • Designed for broadband operation (HF to 2200 MHz)
  • No internal matching for broadband operation
  • ESD protection

Applications

  • RF power amplifiers for GSM, PHS, EDGE, CDMA and W-CDMA base stations
  • Multicarrier applications in the HF to 2200 MHz frequency range
  • Broadcast

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “NXP BLF3G21-30”

Thư điện tử của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *