NXP BLF878

Mã: BLF878 Danh mục:

Hàng mới 100%, Nhập khẩu từ USA

Estimated Delivery 2 to 3 days

Liên hệ

Gọi ngay: 0259.2222 292

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ/Nom

Max

Unit

frange frequency range 470 860 MHz
PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression 300 W

Test signal: CW

PL(PEP) output power 300 W
Gp power gain VDS = 42 V;

f1 = 860 MHz

f2 = 860.1 MHz;

PL(PEP) = 300 W

18 21 dB
ηD drain efficiency VDS = 42 V;

f1 = 860 MHz;

IDq = 1400 mA;

f2 = 860.1 MHz;

PL(PEP) = 300 W

42 46 %
IMD3 third-order intermodulation distortion VDS = 42 V;

IDq = 1400 mA;

PL(PEP) = 300 W

-35 -31 dBc
A 300 W LDMOS RF power transistor for broadcast transmitter applications
and industrial applications. The transistor can deliver 300 W broadband over the full
UHF band from 470 MHz to 860 MHz. The excellent ruggedness and broadband
performance of this device makes it ideal for digital transmitter applications.

Features and benefits

  • Excellent ruggedness
  • High power gain
  • Excellent reliability
  • High efficiency
  • Good thermal stability
  • Easy power control
  • Integrated ESD protection
  • Internal input and output matching
  • Advanced flange material for optimum thermal behavior and reliability
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

Applications

  • Communication transmitter applications in the UHF band
  • Industrial applications in the UHF band

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “NXP BLF878”

Thư điện tử của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *