NXP BLF647

Mã: BLF647 Danh mục:

Hàng mới 100%, Nhập khẩu từ USA

Estimated Delivery 2 to 3 days

Liên hệ

Gọi ngay: 0259.2222 292

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ/Nom

Max

Unit

frange frequency range 1 800 MHz
PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression 150 W

Test signal: CW

PL output power VDS= 32 V; f = 800 MHz 150 W
Gp power gain f = 800 MHz; VDS = 32 V;

PL = 150 W

12.5 dB
ηD drain efficiency VDS = 32 V; f = 800 MHz;

IDq = 1000 mA; PL = 150 W

60 %
Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS push-pull transistor
in a SOT540A package with ceramic cap. The common source is connected to the
mounting flange.

Features and benefits

  • High power gain
  • Easy power control
  • Excellent ruggedness
  • Source on underside eliminates DC isolators, reducing common mode inductance
  • Designed for broadband operation (HF to 800 MHz)
  • Internal input damping for excellent stability over the whole frequency range

Applications

  • Communication transmitter applications in the HF to 800 MHz frequency range

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “NXP BLF647”

Thư điện tử của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *