NXP BLF3G21-6

Mã: BLF3G21-6 Danh mục:

Hàng mới 100%, Nhập khẩu từ USA

Estimated Delivery 2 to 3 days

Liên hệ

Gọi ngay: 0259.2222 292

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ/Nom

Max

Unit

frange frequency range 1800 2200 MHz
PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression 6 W

Test signal: CW

Gp power gain VDS = 26 V;

PL(PEP) = 6 W

14 15.5 dB
ηD drain efficiency VDS = 26 V;

f = 2000 MHz;

IDq = 90 mA;

PL(PEP) = 6 W

35 39 %
IMD3 third-order intermodulation distortion VDS = 26 V;

IDq = 90 mA;

PL(PEP) ≤ 2 W

-50 dBc
IMD3 third-order intermodulation distortion IDq = 90 mA;

PL(PEP) = 6 W;

VDS = 26 V

-32 -29 dBc
PL(PEP) peak envelope power 6 W
RLin input return loss VDS = 26 V;

IDq = 90 mA;

PL(PEP) = 6 W

-7 -3 dB

6 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from HF to 2200 MHz.

Features and benefits

  • Excellent back-off linearity
  • Easy power control
  • Excellent ruggedness
  • High power gain
  • Excellent thermal stability
  • Designed for broadband operation (HF to 2200 MHz)
  • No internal matching for broadband operation
  • ESD protection

Applications

  • RF power amplifiers for GSM, PHS, EDGE, CDMA and W-CDMA base stations
  • Multicarrier applications in the HF to 2200 MHz frequency range
  • Broadcast drivers

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “NXP BLF3G21-6”

Thư điện tử của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *