NXP BLF178P

Mã: BLF178P Danh mục:

Hàng mới 100%, Nhập khẩu từ USA

Estimated Delivery 2 to 3 days

Liên hệ

Gọi ngay: 0259.2222 292

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

Symbol Parameter Conditions Min Typ/Nom Max Unit
frange frequency range 10 128 MHz
PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression 1000 W
Test signal: Pulsed RF
PL output power 1200 W
Gp power gain VDS = 50 V; PL = 1200 W 27 28.5 31 dB
ηD drain efficiency PL = 1200 W; VDS = 50 V; f = 108 MHz; IDq = 40 mA 71 75 %
RLin input return loss VDS = 50 V; IDq = 40 mA; PL = 1200 W -16 -12 dB

A 1200 W LDMOS power transistor for broadcast applications and industrial applications in the

HF to 110 MHz band.

Features and benefits

  • Easy power control
  • Integrated ESD protection
  • Excellent ruggedness
  • High efficiency
  • Excellent thermal stability
  • Designed for broadband operation (10 MHz to 108 MHz)
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

Applications

  • Industrial, scientific and medical applications
  • FM transmitter applications

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “NXP BLF178P”

Thư điện tử của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *